高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目环境影响评价信息第一次公示

根据《环境影响评价公众参与办法》（生态环境部令[第4号]）文件精神，高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目环境影响评价报告书已委托环评单位编制，现将该建设项目有关环境影响评价信息向公众公开，欢迎社会各界人士提出环境保护方面的宝贵意见。公示内容如下：

（1）建设项目的名称及概要

项目名称：高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目

建设地点：湖北省黄冈市黄冈高新区生物医药化工园鹰岭路和外环路交界处

项目概况：项目用地面积26666.7m2，拟新建厂房、原辅料库、研发中心、大宗气站、化学品库等共14674m2，购置砷化镓主要工艺设备771台及石英管生产主要工艺设备21台，搬迁原有设备379台，建设一条年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片产线及一条年产3万套半导体级4-6英寸石英管生产线。

（2）建设项目的建设单位的名称和联系方式

公示日期：2026年01月19日起2026年01月31日止

联系人：庄朝坤

联系电话：13888494927

高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目

2026年01月19日